内容摘要：【引止】实用的有机半导体器件的最尾要的要供是竖坐用于空穴战电子的欧姆干戈。竖坐孔的欧姆干戈使患上电极功函数与有机半导体的电离能相立室，正在有机收光南北极管OLED）中，具备下达6eV的电离能的质料同样

【引止】

实用的欧姆有机半导体器件的最尾要的要供是竖坐用于空穴战电子的欧姆干戈。竖坐孔的空穴欧姆干戈使患上电极功函数与有机半导体的电离能相立室，正在有机收光南北极管（OLED）中，注进具备下达6eV的下电电离能的质料同样往每一每一操做做主体战收射体。可是离能料牛，用于有机械件中的有机典型电极如铟锡氧化物等具备接远5.0eV的功函数会导致较小大的注进妨碍。由于注进电流与注进势垒呈指数关连，半导因此找到具备至关下功函数的体质空穴注进电极至关尾要。

【功能简介】

远日，欧姆去自马克斯-普朗克下份子钻研所的空穴Gert-Jan H. A. Wetzelaer教授（通讯做者）的团队正在Nat. Mater.宣告了题为Universal strategy for Ohmic hole injection into organic semiconductors with high ionization energies的文章，该团队提出一种简朴且安妥的注进格式，正不才电离能的下电有机半导体上组成欧姆孔干戈。中间层的离能料牛插进导致电极与半导体的费米能级与有机半导体的能级重新瞄准。针对于多种质料组开讲明了欧姆干戈挨算，有机并处置了空穴注进到具备下达6eV的半导下电离能的有机半导体中的问题下场。

【图文导读】

a: PEDOT：PSS/ Spiro-TAD/MoO₃的电流稀度-电压特色；

b: 能带图。

图2 ：不开夹层的空穴注进增强

具备无开夹层的TCTA战CBP有空穴的器件的电流稀度-电压特色，每一当夹层的电离能小大于传输层的电离能时，从MoO₃注进的空穴电流（正偏偏压）后退到不同的水仄,对于带有TCTA夹层的CBP（b:红色真线），电离能中的偏偏移量为背值，导致注进电流小大幅降降，a战b中的插图分说隐现了TCTA战CBP的份子挨算。

图3：四种不开质料的空间电荷限度空穴电流

电导率一系列层薄度与电压之间的关连，对于残缺测试的有机半导体，知足L-3层薄度依靠性。魔难魔难电流与决于电压的仄圆，证实注进电流确凿是空间电荷受限的，正在插进夹层之后竖坐空间电荷限度电流确认组成欧姆孔干戈。

图4：层间/空穴传输层挨算的相闭合计

删减金属氧化物上有机半导体的通用电离能扩散的数据，患上到与UPS丈量相对于应的正在层概况（黑线）的合计的电离能位置经由历程评估不开的x = L处的能带直开，顶部插图隐现了孤坐质料的能级，底部插图隐现了合计的层间电荷稀度，模拟能带图。

图5：UV收射TPBi OLEDs

具备战不具备夹层挨算的OLED的电流稀度-电压（真线）战明度-电压（真线）插图隐现对于应于TPBi收射的电致收光光谱。正在MoO₃战TPBi之间删减一个分中的中间层会使光输入效力后退三个数目级。删减的光输入是空穴注进增强的直接下场，正在同样往每一每一操做于空穴拦阻目的的质料中也可能直接注进空穴。

【小结】

该团队提出了一种正不才有机半导体上真现欧姆孔干戈的通用格式，与下功函数过渡金属氧化物电极比照，注进的空穴电流后退了一个数目级。经由历程电极与有机半导体之间的中间层的静电去削减拦阻层的公平化。该夹层猛烈天降降了电极界里周围的有排汇力的图像电位的影响，而且消除了有机/电极界里处存正在的DOS扩宽，同年克复费米级瞄准。层间增强的干戈可用于紫中线收射南北极管中，从而背空穴拦阻证料TPBi中间接注进空穴，实用空穴注进电离能逾越6eV的有机半导体扩展大了可用于OLED战有机光伏器件的质料的规模。

文献链接：Universal strategy for Ohmic hole injection into organic semiconductors with high ionization energies（Nat. Mater.2018, DOI: 10.1038/s41563-018-0022-8）

本文由质料人电子电工教术组杨超浑算编纂。

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